HYG013N03LS1C2 MOSFET транзистор N канал 30В 150А DFN 5x6
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
Польовий транзистор
Маркування: G013N03
Корпус: DFN 5x6
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Технічні параметри:
Максимальна напруга стік-витік: 30 В
Максимальний струм стік-витік: 150 А
Максимальна напруга затвор-витік: ±20 В
(Дивіться даташит в специфікаціях)
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Основні | |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип корпусу | DFN 5x6 |
| Тип польового транзистора | N-Channel |
| Тип монтажу | Поверхневий (SMD) |
- Ціна: 25,30 ₴


