FQPF12N60C польовий транзистор N-Channel 600В 12А TO220F
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
Mosfet транзистор
Маркування: FQPF12N60C
Корпус: TO-220F
600V N-Channel MOSFET
Технічні параметри (Tc = 25°C):
Drain-Voltage Source: 600V
Gate-Voltage Source: ± 30V
Drain Current: 12 A
Drain Current - Pulsed: 48 A
Avalanche Current: 12 A
Repetitive Avalanche Energy: 22.5 mJ
Peak Diode Recovery dv/dt: 4.5 V/ns
Power Dissipation: 51W
(Дивіться даташит в специфікаціях)
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип корпусу | TO-220F |
| Тип польового транзистора | N-Channel |
- Ціна: 54,91 ₴


