Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
Польовий транзистор
Маркування: FDA24N50
Корпус: TO-3P
500V N-Channel MOSFET
Технічні параметри:
Напруга пробою сток-витік: 500 В
Максимальна напруга затвору: ±30 В
Струм стоку: 24 А
Імпульсний струм: 96 А
Потужність розсіювання: 270 Вт.
(Дивіться даташит у специфікаціях)
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип корпусу | TO3 |
| Тип польового транзистора | N-Channel |
- Ціна: 215,74 ₴


