FDS8958B, MOSFET транзистор подвійний, N+P канал, 30 В, 6.4 А/4.5А, SOP8
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
Транзистор польовий
Маркування: FDS8958B
Корпус: SOP-8
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
Технічні параметри:
N-канал:
Drain-Source Voltage: 30V
Gate-Source Voltage: ±20V
Continuous Drain Current: 6.4A
Pulsed Drain Current: 30A
Total Power Dissipation: 2W
P-канал:
Drain-Source Voltage: -30V
Gate-Source Voltage: ±25V
Continuous Drain Current: -4.5A
Pulsed Drain Current: 30A
Total Power Dissipation: 2W
(Колекція в специфікаціях)
Способи доставки: Новая почта
Ін-тайм
УкрПочта
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип корпусу | SOP8 |
| Тип монтажу | Поверхневий (SMD) |
| Тип польового транзистора | N-Channel |
- Ціна: 14,89 ₴


