P2003BEA MOSFET транзистор N канал 30В 25А QFN8
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: A1 GNA, (A1 GNF)
Корпус: QFN8
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Технические параметры:
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Continuous drain current: 25A
Pulsed drain current: 60A
Avalanche current: 17A
Power dissipation: 20W
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | AVALANCHE |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | QFN8 |
| Тип монтажа | Поверхностный (BGA) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 23 ₴


