FDD8880, MOSFET транзистор N канал, 30В, 58А, TO252
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: FDD 8880
Корпус: TO-252 (D-pak)
N-Channel PowerTrench MOSFET
Технические параметры:
Drain-Source Voltage: 30V
Gate-Source Voltage: ±20V
Continuous Drain Current: 58A
Pulsed Drain Current:
Power Dissipation: 55W
Operating Junction & Storage Temperature Range: -55 to 175°C
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | TO-252 (Dpak) |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 17,71 ₴


