P0803BDG, MOSFET транзистор N канал, 25V 56A, TO252
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: P0803BDG
Корпус: TO-252
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Технические параметры:
Drain-Source Voltage: 30V
Gate-Source Voltage: ±20V
Continuous Drain Current: 60A
Pulsed Drain Current: 120A
Power Dissipation: 50W
Operating Junction & Storage Temperature Range: -55 to 150°C
(Смотрите даташит в спецификациях)
Способы доставки: Новая почта
Ин-тайм
УкрПочта
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Nikos |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | TO-252 (Dpak) |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 17,71 ₴


