IRFD9110, Mosfet транзистор P канал, 30В 9А, HD1
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: IRFD9110
Корпус: HD-1
0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Технические параметры:
Drain-Source Voltage: -100V
Gate-Source Voltage: ±20V
Continuous Drain Current: -0.70A
Pulsed Drain Current: -5.6A
Power Dissipation: 1.3W
Operating Junction & Storage Temperature Range: -55 to 175°C
Способы доставки: Новая почта
Ин-тайм
УкрПочта
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | HD-1 |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
- Цена: 16,79 ₴


