IRF5305NS MOSFET транзистор P channel -55В -31А TO263
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: F5305NS
Корпус: TO-263
HEXFET Power MOSFET
Технические параметры:
Drain-source voltage: -55V
Gate-source voltage: ±20 V
Drain current: -31A
Total power dissipation: 115W
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | Демонтаж |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
- Цена: 39,10 ₴



