2SJ529, MOSFET транзистор P канал, 60В, 10А, TO252
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: J529
Корпус: TO-252 (D-pack)
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
Технические параметры:
Drain-Source Voltage: -60V
Gate-Source Voltage: ± 20V
Continuous Drain Current: -10A
Drain peak current: -40A
Body-drain diode reverse drain current: -10A
Avalenche current: -10A
Power Dissipation: 20W
Operating Temperature: - 55 to 150°C
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Sanyo |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | Демонтаж |
| Тип корпуса | TO-252 (Dpak) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
- Цена: 13,80 ₴


