PH5525L, Mosfet транзистор N канал, 25В, 81.7А, SOT669
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: 5525L
Корпус: SOT669 (LFPAK)
N-channel TrenchMOS logic level FET
Технические параметры:
Drain-source voltage: 25V
Drain current (Tc=25°C): 81.7A
Total power dissipation: 62.5W
Operating Temperature: −55...150°C
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 67,80 ₴



