RJP63K2, IGBT транзистор N Channel, 630V 35A, TO263
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор IGBT
Маркировка: RJP63K2
Корпус: TO-263
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Технические параметры:
N Channel
IGBT High Speed Power Switching
630V, 35A.
(Смотрите даташит в спецификациях)
Способы доставки: Новая почта
Ин-тайм
УкрПочта
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Производитель | Renesas Electronics Components |
| Тип корпуса | TO-263 (D2pak) |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип транзистора | IGBT |
- Цена: 20,70 ₴



