IPD09N03LA, Mosfet транзистор N-канал, 25В 50А, TO252
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: 09N03LA
Корпус: TO-252
OptiMOS 2 Power-Transistor
Технические параметры:
Drain source breakdown voltage: 20V
Gate-Source Voltage: ±20V
Continuous Drain Current: 50A
Pulsed Drain Current: 350A
Power Dissipation: 63W
Junction Temperature: -55 to 175°C
Способы доставки: Новая почта
Ин-тайм
УкрПочта
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 9,84 ₴


