ME60N03A, MOSFET транзистор, N-channel 30В, 50А, TO252
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: ME60N03A
Корпус: TO-252
Технические параметры:
Maximum Power Dissipation: 50 W
Maximum Drain-Source Voltage: 25 V
Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
Maximum Drain Current: 50 A
Maximum Junction Temperature: 150 °C
Rise Time: 10 nS
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 16,10 ₴


