FQU1N60C MOSFET транзистор N канал 600В 1А TO251
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: FQU1N60C
Корпус: TO-251
600V N-Channel MOSFET
Технические параметры (Tc=25°C):
Drain source voltage: 600V
Gate-Source Voltage: ±30V
Drain current: 1A
Drain current pulsed: 4A
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | TO-251 |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 13,80 ₴


