HYG013N03LS1C2 MOSFET транзистор N канал 30В 150А DFN 5x6
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: G013N03
Корпус: DFN 5x6
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Технические параметры:
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
Максимальный ток сток-исток: 150 А
Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Основные | |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | DFN 5x6 |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
- Цена: 25,30 ₴


