Оригинал FQPF12N60C транзистор полевой N-Channel 600V 12A TO220F
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Mosfet транзистор
Маркировка: FQPF12N60C
Корпус: TO-220F
600V N-Channel MOSFET
Технические параметры (Tc = 25°C):
Drain-Source Voltage: 600V
Gate-Source Voltage: ± 30V
Drain Current: 12A
Drain Current - Pulsed: 48 A
Avalanche Current: 12 A
Repetitive Avalanche Energy: 22.5 mJ
Peak Diode Recovery dv/dt: 4.5 V/ns
Power Dissipation: 51W
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 54,91 ₴


