RJK03B9DPA (K03B9) MOSFET транзистор N channel 30В 30А QFN8
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: K03B9
Корпус: QFN-8
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
Технические параметры:
Drain-Source Voltage: 30V
Gate-Source Voltage: ±20
Continuous Drain Current: 30A
Pulsed Drain Current: 120A
Avalanche Current: 8A
Operating Junction Temperature Range: -55 to 150°C
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип корпуса | QFN8 |
| Тип монтажа | Поверхностный (BGA) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
- Цена: 45,66 ₴


