NTMFS4C09N MOSFET транзистор N канал 30В 52А QFN8
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
Польовий транзистор
Маркування: 4C09N
Корпус: QFN-8
Power MOSFET
Технічні параметри:
Drain-voltage source: 30V
Gate-voltage source: ±20V
Continuous drain current: 52A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 25.5 W
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Тип корпусу | QFN8 |
| Тип монтажу | Поверхневий (BGA) |
| Тип польового транзистора | N-Channel |
- Ціна: 44,28 ₴


