IRF540NS MOSFET транзистор N channel 100В 33А TO263
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор полевой
Маркировка: F540NS
Корпус: TO-263
HEXFET Power MOSFET
Технические параметры:
Continuous drain current: 33A
Gate to source voltage: ± 20V
Pulsed drain current: 110A
Avalanche current: 16A
Power dissipation: 130W
Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | Демонтаж |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
- Цена: 41,40 ₴



