RJP30E4, IGBT N Channel транзистор 360В, 40А, TO263
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Транзистор IGBT
Маркировка: RJP30E4
Корпус: TO-263
High Speed Power Switching
Технические параметры:
Drain-source voltage: 360V
Collector current: 40A
Collector current pulsed: 250A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 30W
(Смотрите даташит в спецификациях)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Пользовательские характеристики | |
| Тип биполярного транзистора | N Channel |
| Тип корпуса | TO-263 (D2pak) |
| Тип монтажа | Поверхностный (SMD) |
| Тип транзистора | IGBT |
- Цена: 20,70 ₴



